课程主要内容
首先是第一章,对泊松方程、输运方程与连续性方程等半导体基本方程进行学习。这一部分内容是全书的基础
第二章,对PN结进行讲解。主要有PN结空间电荷区的形成、耗尽区宽度、内建电场与内建电势的计算、正向及反向电压下PN结中的载流子运动情况以及PN结的少子分布图等十余个小节
第三章,对BJT进行讲解。主要有双极型晶体管在四种工作状态下的少子分布图与能带图、基区输运系数与发射结注入效率的定义及计算、共基极与共发射极直流电流放大系数的定义及计算等十余个小节
第四章,对MOSFET进行讲解。主要有MOSFET的类型与基本结构、MOSFET的工作原理、MOSFET阈电压的定义、计算与测量、影响阈电压的各种因素、阈电压的衬底偏置效应、MOSFET在非饱和区的简化的直流电流电压方程等十余个小节的内容
对于非考试内容的第五章异质结不做讲授